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電磁兼容實(shí)驗(yàn)室

更新時(shí)間:2020-10-09      點(diǎn)擊次數(shù):818

電磁兼容實(shí)驗(yàn)室是為了進(jìn)行電磁兼容試驗(yàn)而建立的一類特殊的實(shí)驗(yàn)室。首先解釋一下電磁兼容的基本概念:指電磁系統(tǒng)、分系統(tǒng)在各自 的電磁環(huán)境中能正常工作而不因受到 電磁干擾降低工作性能的能力。對(duì)于 給定的電磁系統(tǒng)或分系統(tǒng),電磁兼容具 有兩方面的含義:(1)本系統(tǒng)或分系統(tǒng) 不受其他系統(tǒng)或分系統(tǒng)的干擾而影響 工作性能;(2)本系統(tǒng)或分系統(tǒng)也不對(duì) 其他系統(tǒng)或分系統(tǒng)產(chǎn)生上述干擾。電 磁兼容性工作可分為兩個(gè)方面,一方面 是無線電管理措施,如采用頻率分配和 時(shí)間分割的手段使系統(tǒng)之間不構(gòu)成干 擾;另一方面是各種技術(shù)措施,即采用 屏蔽、濾波及合理的布線、接地等措施 抑制干擾。

為了規(guī)范電子或其他產(chǎn)品的電磁兼容性,需要根據(jù)相關(guān)的標(biāo)準(zhǔn)或者國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行相關(guān)的電磁兼容試驗(yàn),而電磁兼容試驗(yàn)進(jìn)行的場(chǎng)所即是電磁兼容實(shí)驗(yàn)室。完整系統(tǒng)的電磁兼容實(shí)驗(yàn)室一般包括電波暗室和屏蔽室兩類。

完整系統(tǒng)的電磁兼容實(shí)驗(yàn)室一般包括電波暗室和屏蔽室兩類。首先介紹電波暗室。

電波暗室是進(jìn)行輻射發(fā)射試驗(yàn)和輻射抗擾度試驗(yàn)的場(chǎng)所。根據(jù)測(cè)試距離,分為3m法暗室、10m法暗室。十米跟三米的含義是指待測(cè)試品(以下簡(jiǎn)稱EUT)距離天線的距離。十米法暗室一般為十米法半電波暗室,是指除地面以外的其他五面都是鋪設(shè)了吸波材料的密閉空間,地面為金屬地面,能夠模擬無反射的空闊場(chǎng)地。10m法半電波暗室可進(jìn)行輻射發(fā)射試驗(yàn)和輻射抗擾度試驗(yàn),以及屏蔽效能試驗(yàn)等電磁兼容試驗(yàn)。結(jié)合輻射騷擾、輻射抗擾度測(cè)試系統(tǒng),達(dá)到如下要求:

l 10m法電波暗室滿足CISPR16-1-4,ANSI 63.4,CISPR11,CISPR22,CISPR25,IEC61000-4-3,GJB 152A,GB 12190等標(biāo)準(zhǔn)對(duì)輻射騷擾和抗擾度測(cè)試場(chǎng)地的要求。

l 輻射騷擾測(cè)試系統(tǒng)滿足CISPR16-1-1/-2/-3/-4, CISPR16-2-1/-2/-3/-4,CISPR11,CISPR 22等標(biāo)準(zhǔn)的輻射騷擾自動(dòng)化測(cè)試對(duì)電磁兼容性(EMC)測(cè)試系統(tǒng)的全部要求。

l 輻射騷擾測(cè)試系統(tǒng)滿足CISPR16-1-1/-2/-3/-4,CISPR16-2-1/-2/-3/-4,IEC61000-4-3等標(biāo)準(zhǔn)的輻射抗擾度自動(dòng)化測(cè)試對(duì)電磁兼容性(EMC)測(cè)試系統(tǒng)的全部要求。

l 能夠進(jìn)行CISPR11,CISPR 22,以及相應(yīng)國(guó)標(biāo)規(guī)定的各類電子設(shè)備、通訊設(shè)備、汽車電子設(shè)備、工業(yè)、科學(xué)和醫(yī)療設(shè)備等的輻射騷擾測(cè)試。

l 能夠進(jìn)行IEC61000-4-3,GB 17619,DL/T 1087,DL/Z 713,等標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的各類電子設(shè)備、通訊設(shè)備、汽車電子設(shè)備、變電站和換流站二次設(shè)備等的輻射抗擾度測(cè)試。

l 10m法電波暗室和輻射騷擾、輻射抗擾度測(cè)試系統(tǒng)性能具有一定的前瞻性,適應(yīng)電磁兼容測(cè)試技術(shù)及標(biāo)準(zhǔn)的發(fā)展方向。

10m法電波暗室主要有五大技術(shù)指標(biāo)分別是:屏蔽效能、歸一化場(chǎng)地衰減、場(chǎng)地電壓駐波比、場(chǎng)均勻性和環(huán)境噪聲。10m法電波暗室主要包括:暗室本體、屏蔽控制室、屏蔽負(fù)載室、屏蔽功放室、轉(zhuǎn)轂工作室等幾部分。10m法電波暗室的主要設(shè)施有:屏蔽體和鋼結(jié)構(gòu),屏蔽門,吸波材料,轉(zhuǎn)臺(tái)和轉(zhuǎn)轂,天線塔,濾波器等。

10m法電波暗室

3m法電波暗室一般為可進(jìn)行半/全轉(zhuǎn)換的電波暗室。所謂全電波暗室,是指六個(gè)面鋪設(shè)吸波材料的電波暗室,可進(jìn)行輻射抗擾度試驗(yàn);所謂半電波暗室,是指地面為金屬地面,其他五個(gè)面為吸波材料的電波暗室。三米法電波暗室可進(jìn)行半/全電波暗室的轉(zhuǎn)換。方便測(cè)試需求。

3m暗室

屏蔽室是指采用拼接結(jié)構(gòu)或者焊接結(jié)構(gòu)的六面體金屬房間,以中國(guó)電科院電磁兼容實(shí)驗(yàn)室的屏蔽室來舉例,屏蔽效能(SE)在10kHz~150kHz頻段內(nèi)達(dá)到90dB以上,在150kHz~18GHz頻段內(nèi)達(dá)到110dB以上。能夠滿足標(biāo)準(zhǔn)要求。屏蔽室內(nèi)可進(jìn)行GB17626系列和GB17625系列的24項(xiàng)電磁兼容試驗(yàn)。

電磁兼容實(shí)驗(yàn)室檢測(cè)項(xiàng)目匯總

測(cè)試場(chǎng)地

試驗(yàn)項(xiàng)目

標(biāo)準(zhǔn)

備注

10m法半電波暗室

輻射發(fā)射

GB4824-2004(CISPR11-2003)

GB9254-2008(CISPR22-2006)

30MHz

輻射抗擾度

GB17626.3-2006(IEC61000-4-3:2002)

80MHz

測(cè)試場(chǎng)地

試驗(yàn)項(xiàng)目

標(biāo)準(zhǔn)

備注

3m法全電波暗室

輻射發(fā)射

GB4824-2004(CISPR11-2003)

GB9254-2008(CISPR22-2006)

30MHz

輻射抗擾度

GB17626.3-2006(IEC61000-4-3:2002)

80MHz

測(cè)試場(chǎng)地

試驗(yàn)項(xiàng)目

標(biāo)準(zhǔn)

備注

傳導(dǎo)干擾測(cè)量屏蔽室

傳導(dǎo)發(fā)射

GB4824-2004(CISPR11-2003)

GB9254-2008(CISPR22-2006)

9KHz-30MHz

交流 3*690V 200A

直流 1000V 75A

騷擾功率

GB4343.1

30MHz-300MHz

喀嚦聲

GB4343.1

 

測(cè)試場(chǎng)地

試驗(yàn)項(xiàng)目

標(biāo)準(zhǔn)

備注

傳導(dǎo)抗擾測(cè)量屏蔽室

電快速瞬變脈沖群抗擾度試驗(yàn)

GB17626.4

.高.可達(dá)7kV

射頻場(chǎng)感應(yīng)的傳導(dǎo)騷擾抗擾度

GB17626.6

.高.可達(dá)30V

電氣照明及類似設(shè)備插入損耗試驗(yàn)

GB17743

9KHz-30MHz

電氣照明及類似設(shè)備輻射電磁騷擾試驗(yàn)

GB17743

 

測(cè)試場(chǎng)地

試驗(yàn)項(xiàng)目

標(biāo)準(zhǔn)

備注

諧波閃爍測(cè)量屏蔽室

諧波電流發(fā)射試驗(yàn)

GB17625.1-2012(IEC 61000-3-2:2009)

GB17625.6-2003(IEC 61000-3-4:1998)

GB17625.7-2013

.高.可達(dá)75A

電壓變化、電壓波動(dòng)和閃爍

GB17625.2-2007(IEC 61000-3-3:2005)

GB17625.3-2000(IEC 61000-3-5:1994)

.高.可達(dá)100A

交流電源端口諧波抗擾度

GB17626.13-2006(IEC 61000-4-13:2002)

.高.可達(dá)100A

電壓波動(dòng)抗擾度試驗(yàn)

GB17626.14-2005(IEC 61000-4-14:2002)

.高.可達(dá)100A

直流紋波抗擾度

GB17626.17-2005(IEC 61000-4-17:2002)

.高.可達(dá)100A

三相電壓不平衡試驗(yàn)

GB17626.27-2006(IEC 61000-4-27:2000)

.高.可達(dá)100A

工頻頻率變化抗擾度

GB17626.28-2006(IEC 61000-4-28:2001)

.高.可達(dá)100A

大于16A電壓暫降、短時(shí)中斷和電壓變化

GB17626.34-2012(IEC 61000-4-34:2009)

.高.可達(dá)100A

直流電源輸入端口電壓暫降、短時(shí)中斷和電壓變化

GB17626.29-2006(IEC 61000-4-29:2000)

.高.可達(dá)100A

 
 

測(cè)試場(chǎng)地

試驗(yàn)項(xiàng)目

標(biāo)準(zhǔn)

備注

靜電放電測(cè)量屏蔽室

靜電放電抗擾度試驗(yàn)

GB17626.2-2006(IEC 61000-4-2:2001)

.高.可達(dá)30kV

電壓暫降、短時(shí)中斷和電壓變化

GB17626.11-2008(IEC 61000-4-11:2004)

.高.可達(dá)100A;斷電(0-100%)

低頻共模傳導(dǎo)抗擾度

GB17626.16-2007(IEC 61000-4-16:2002)

.高.騷擾電平30V

測(cè)試場(chǎng)地

試驗(yàn)項(xiàng)目

標(biāo)準(zhǔn)

備注

瞬態(tài)抗擾測(cè)量屏蔽室

浪涌抗擾度

GB17626.5-2008(IEC 61000-4-5:2005)

.高.可達(dá)10kV

阻尼振蕩磁場(chǎng)抗擾度

GB17626.10-1998(IEC 61000-4-10:1993)

.高.可達(dá)3kV;三相440V /100A;

振蕩波抗擾度試驗(yàn)

GB17626.12-1998(IEC 61000-4-12:1995)

.高.可達(dá)3kV;三相440V /100A

工頻磁場(chǎng)抗擾度

GB17626.8-2006(IEC 61000-4-8:2001)

短時(shí)可達(dá)1000A/m

脈沖磁場(chǎng)抗擾度

GB17626.9-2011(IEC 61000-4-9:2001)

.高.可達(dá)2000A/m

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